2022成为NAND FlashSSD抢跑之年，谁将成新王者？

【全世界硬盘通过观察 | 每日同类型】NAND盖楼邀请赛从未停止过，并且在ROM短缺的思索愈演愈烈。

这不，松下电子将在2022年底发行200层以上的第8代NANDSRAM。

你方唱罢我登场！松下电子将在128层的单片硬盘器上叠加96层，发行224层的NANDSRAM。与上世代176层NAND系列产品相对来说，224层NANDSRAM可以将原材料效率和样本Gbps将提高30%。

松下电子原计划在2021在此之后开始投入原材料176层NAND，但难以实现市场情况，推迟到2022年第一季度。

此外，半导体公司高科技早于就早于抢先了一招，176层NAND开始投入原材料Dreamcast了。

专业人士人士预测，松下电子将加快200层以上NANDSRAM投入原材料的步伐，以夺回应用领先地位。但是这个预测却却是令人软弱，原因很直观，大家都在抢跑，就看谁的研发革更进一步体力更好罢了。

本来，在NAND领域的竞争，不极少松下电子与半导体公司高科技倚重，同时，之外松下、半导体公司、Intel、SK海力士、丰田汽车、西部样本（SanDisk）等在内的所有全世界SRAM颗粒顶级厂家都倚重3D NAND系列产品革新。

比如SK Hynx的4D NAND引入了电荷捉到HG（Charge Trap Flash，CTF）的SRAM应用，首推电荷捉到HGCTF应用与Peri Under Cell(PUC)应用为基础，不过，SK Hynix宣称的4D NAND Flash，其本质上仍是3D NAND Flash，取名为4D只是强化商业性营销的一种意图。

CTF应用可减少清醒单元(cell)有数的冲击，解决2D NAND用到浮栅(Floating Gate,FG)应用遭遇的限制。PUC本是Peri排线应用，可以扩大系列产品本身的重量，自然就实现了节省原材料量的目的。所以4D NAND Flash的宣称也是事出有因的。

当然对于SK Hynix来说，早于就用到了电荷捉到HG（CTF）应用内部设计好几年了，所以它不是更进一步应用引入，之前Micron和Intel是主要是两个用到浮栅FG应用的NANDSRAM厂家。此外，Intel独创的傲腾应用新线，也早于就摘得了全世界市场，这里只好让众多SRAM友商所艳羡。

需要引述的目前半导体公司将用到自己的器件附加手工Replacement-gate应用，专业人士专家引述，这也是Charge Trap Flash（CTF）应用内部设计。与此同时，更有意思的是，松下的Gate-last手工也值得注意了器件附加手工Replacement-gate的应用。

从3D NAND应用Core来看，现在3D NAND常见于的分作VC垂直通道、VG垂直器件两种Core。Core不同，对于3D NAND的安全性内部设计略有一点差异，但SRAM的其本质是未差异的。因为毕竟是引入磁盘来扩大基本单位面积上的SRAM容量一般来说的，目前产业界知名的SRAM厂家引入了NAND磁盘螺旋式越多，对于SRAM安全性允许的挑战较高。

不过，2022将变成为NAND Flash疯狂抢跑之年，松下、半导体公司、Intel、SK海力士、丰田汽车、西部样本谁将变成王者？我们拭目以待。

【全世界硬盘通过观察 | 高科技附和】专注高科技公司分析方法，用样本言语，带你看懂高科技。本文和作者回复极少代表个人观点，不构变成任何投资者建言。